Bauform: Solid State Module (SSM)
Formfaktor: M.2 2280
Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
Controller: Samsung Elpis (S4LV003), 8 Kanäle
NAND-Typ: 3D-NAND TLC, Samsung, 136 Layer (V-NAND v6)
Cache: 512MB (LPDDR4), SLC-Cache (4-18GB)
Protokoll: NVMe 1.3c
Schreibgeschwindigkeit: bis zu 5000 MB/s
Lesegeschwindigkeit: bis zu 6900 MB/s
IOPS 4K lesen/schreiben: 800k/​1000k
Abmessungen: 80x22x2.38mm
Leistungsaufnahme: 7.4W (maximal), 5.9W (Betrieb), 0.035W (Leerlauf), 0.005W (Schlafmodus)
TBW: 300 TB
MTBF: 1,5 Mio. Stunden
Besonderheiten: L1.2 Low-Power-Standby